После бегства из нашей страны Чубайса стало ясно, кто был главным тормозом отечественной наноэлектроники
Наши околонаучные СМИ дружно сообщили, что в России разработают лазеры для производства чипов в установках Nikon и ASML.
Дело в том, что на портале госзакупок 22 ноября 2024 года были опубликованы требования к тендеру с многозначительным названием «ОКР «Разработка и освоение производства гелий-неоновых лазеров и фотоприемников для систем позиционирования оборудования, применяемого в производстве ИС с топологическими нормами до 65 нм».
В задании сказано, что разрабатываемый комплект гелий-неоновых (He-Ne) лазеров и фотоприемников предназначен для замены лазеров модели 5517C и фотоприемников моделей E1709A и 10780F производства фирмы Keysight в зарубежном оборудовании, а также в действующем и разрабатываемом отечественном оборудовании, применяемом в производстве интегральных микросхем с проектными нормами до 65 нм.
То есть заказанные Минпромторгом He-Ne лазеры нужны в качестве расходников для литографических степперов и сканеров Nikon серий SF 204 — 206, i-11, i-12, а также ASML серии PAS-5500. Судя по всему, именно эта техника имеется на отечественных площадках по выпуску чипов.
Длина волны должна соответствовать 0,632991±0,000001 мкм, или 632±1 нанометра, что потребует от нашего разработчика решения сложнейших технических задач, включая получение абсолютно чистых гелия и неона, а также стабильных характеристик электрических разрядов.
Минпромторг также указал, что надежность гелий-неонового лазера должна характеризоваться наработкой на отказ не менее 10 000 часов со сроком срок службы не менее 3 лет.
Отдельно отметим, что в принципе небольшая сумма заказа в 175 млн рублей прямо указывает, что в России имеется существенный задел по этому направлению, и, скорее всего, задача разработчика состоит в доведении до ума имеющейся лабораторной установки.
«Разрабатываемые комплекты лазеров и фотоприемников предназначены для работы в интерферометрических системах позиционирования в современном оборудовании для производства электронных компонент, — рассказал руководитель департамента электронного машиностроения международного научно-технологического центра (МНТЦ) Московского института электронной техники Яков Петренко.
— Такие системы нужны для того, чтобы с высокой точностью позиционировать положение активных частей установки относительно полупроводниковой пластины".
Для начала поясним, что He-Ne лазер — это тип газового лазера, активная среда которого состоит из смеси гелия и неона в соотношении от 5:1 до 20:1. Самый известный и широко используемый гелий-неоновый лазер работает на длине волны 632,81646 нм (в воздухе), 632,99138 нм (в вакууме) и частоте 473,6122 ТГц в красной части видимого спектра.
Казалось бы, ничего сложного. Во всем мире тысячи фирм производят He-Ne лазеры для самых разных нужд — от медицинских до ювелирных. Даже в продвинутых детских игрушках устанавливают красные «указки».
Тем не менее все это далеко не то, что нужно для создателей микрочипов. Если разобраться, в мире только одна компания изготавливает комплекты лазеров и фотоприемников для литографических машин — это та самая заокеанская фирма Keysight, о которой говорилось выше.
Как пояснил Петренко, заявленный тендер предназначен как раз для замещения американских расходников в эксплуатируемом иностранном оборудовании, а также в разрабатываемых российских литографах.
Для понимания проблемы приведем цитату одного из технологов тайваньского чипмейкера TSMC: «К сожалению, из-за экстремальных условий в газовую смесь попадают примеси, что приводит к ухудшению характеристик лазера. Из-за этого требуется полная замена смеси примерно раз в две недели». Справедливости ради, речь идет о лазерах, работающих в спектре экстремального ультрафиолета, тогда как He-Ne лазер относится к видимому красному цвету.
Именно поэтому многие эксперты, в том числе российские, утверждают, что Россия отстала от Запада в производстве наноэлектроники навсегда. Дескать, освоенный в нашей стране 65-нм техпроцесс является, видите ли, каменным веком, по сравнению, скажем, с 5-нм техпроцессом, использованным в мобильниках Apple.
Кстати, компания TSMC для выпуска чипов для штатовского смартфона использует нидерландский литограф ASML с мощным CO2-лазером, который «стреляет» в вакууме очень маленькими шариками олова. Когда те попадают под воздействие лазера, они испаряются и создают EUV-излучение с длиной волны 13.5 нм.
А вот одна из лучших американских фирм Intel применяет DUV-лазеры с длиной волны 193 нм. На сегодня американцы вышли на выпуск 14-нм чипов с годностью 80%, хотя врут, что освоили и 7 нм.
К сведению наших всепропальщиков и западных злопыхателей, литографы ASML в среднем разрабатываются 20 лет, причем в кооперации с американцами, немцами и французами. Кроме того, в Сети появились кадры, снятые электронным микроскопом, согласно которым в хваленом «яблочном» смартфоне транзисторы имеют размер 50 нм, расстояние между металлическими дорожками составляет 28 нм, а их ширина 14 нм.
Теперь о вишенке на торте. Янки из Keysight для производства своих DUV-лазеров применяла неон, получаемый в Мариуполе местным производителем Ingas, который в свою очередь закупал газ у российских металлургов, как наиболее очищенный от примесей. По данным американских источников, чипмейкеры США, Тайваня, Южной Кореи и Германии приобретали 20 тысяч кубометров неона в месяц. Для них нынешний дефицит неона уже стал костью в горле, хотя литейные фабрики так называемого коллективного Запада держатся бодрячком.
В целом ситуация в отечественной наноэлектронике тяжелая, но все-таки не критическая — в России есть неон, а главное — все необходимое, чтобы достичь технологического суверенитета, прежде всего отсутствие Чубайса и ему подобных агентов влияния Америки.
